ID1123D 栅极驱动半桥芯片 —替换 NCP81155
【主要性能指标】
? 输入电压：-0.3~18.3V
? VBS静态电流：240~320μA
? 静态电流：120~220μA
? 单相高压、高速功率 MOSFET和IGBT驱动芯片
? 封装方式：SOIC8和DFN8
【典型应用场景】 马达驱动和各种传感器驱动。
【产品优势】 驱动芯片设计了自适应的防交叠电路， 避免输出缓冲级上、下管同时导通，降低开 关损耗。可以通过对使能端引脚施加低电平 逻辑，使得两个输出HO、LO同时为低电平。
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