ID2103 栅极驱动半桥芯片 —替换 IR2103
【主要性能指标】
? 输入电压：0~20V
? VBS静态电流：30~55μA
? VCC静态电流：150~270μA
? P_SUB、P_EPI工艺的高压、高速功率 MOSFET和IGBT驱动芯片
? 封装方式：SOIC8和DFN8
【典型应用场景】 马达驱动和各种传感器驱动。
【产品优势】 输出驱动芯片具有一个高脉冲电流的缓冲级 和避免半桥系统中直通现象发生的保护电路。此 外，芯片还匹配了传播延迟以便于芯片在高频条件下应用
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