ID7S210 栅极驱动半桥芯片
【主要性能指标】
? 输入电压：-0.3~25.3V
? VBS静态电流：80~120μA
? VCC静态电流：200~320μA
? P_SUB、P_EPI工艺的高压、高速功率 MOSFET和IGBT驱动芯片
? 封装方式：SOIC8
【典型应用场景】 马达驱动和各种传感器驱动。
【产品优势】 驱动芯片中设计了脉冲产生电路，使用 窄脉冲信号驱动LDMOS，有效地减少了高压 电平移位电路中LDMOS的导通时间，提升了 芯片的可靠性。并优化电路板布局布线并降 低材料成本