ID5S609F1 栅极驱动半桥芯片 —替换 IR2304
【主要性能指标】
? 输入电压：-0.3~20.3V
? VBS静态电流：50~100μA
? 静态电流：150~300μA
? P_SUB、P_EPI工艺的高压、高速功率 MOSFET和IGBT驱动芯片
? 封装方式：SOIC8
【典型应用场景】 马达驱动和各种传感器驱动。
【产品优势】 驱动芯片的输出缓冲级具有高脉冲电流 的特点，该特点使得缓冲级的交叉传导损耗 最小化。此外，芯片还匹配了传播延迟以便 于芯片在高频条件下应用。
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