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triumph
Infineon(英飞凌)IPP072N10N3 G
产品型号：IPP072N10N3 G
产品产地：
发布日期：2022-08-26
浏览次数：次
咨询电话：010-62610465
关 键 词：Infineon,(英飞凌),IPP072N10N3 G
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详细介绍

品牌
英飞凌
封装
PG-TO220-3
批次
21+
数量
5000
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
N-Channel
通道数量
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
6.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Qg-栅极电荷
68 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
150 W
通道模式
Enhancement
配置
Single
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
正向跨导 - 最小值
50 S
下降时间
9 ns
上升时间
37 ns
典型关闭延迟时间
37 ns
典型接通延迟时间
19 ns
零件号别名
IPP72N1N3GXK SP000680830 IPP072N10N3GXKSA1
单位重量
2 g
可售卖地
全国
型号
IPP072N10N3 G

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