Infineon英飞凌IRFB31N20DPBF-北京天翼腾达 -集成IC十几年行业优秀分销商/赛灵思/TI/英飞凌/ADI/NXP

Infineon英飞凌IRFB31N20DPBF: 产品型号：IRFB31N20DPBF; 产品产地：; 发布日期：2022-08-26; 浏览次数：次; 咨询电话：010-62610465; 关键词：Infineon,英飞凌,IRFB31N20DPBF; 分享到： QQ空间新浪微博腾讯微博更多; 下一个产品上一个产品

详细介绍

品牌

英飞凌

封装

TO-220

批次

22+

数量

125754

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET

FET 类型

N 通道

漏源电压（Vdss）

200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

31A（Tc）

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5.5V @ 250μA

Vgs（最大值）

±30V

功率耗散（最大值）

3.1W（Ta），200W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3

可售卖地

全国

类型

分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET -

型号

IRFB31N20DPBF

关闭

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